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Si2302CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.0
1.6
0.07
1.2
0. 8
0.4
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.06
0.05
0.04
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.0
T C = - 55 °C
0.03
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4 6
8
10
400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
320
C iss
4
I D = 3.6 A
V DS = 10 V
V DS = 5 V
240
160
8 0
0
C oss
C rss
3
2
1
0
V DS = 15 V
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 2.5 V , I D = 3.1 A
V GS = 4.5 V , I D = 3.6 A
100
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
1.0
0. 8
0.6
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
T J = - 55 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 68645
S12-2336-Rev. D, 01-Oct-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.comm
www.vishay.com
3
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